東微半導體成立于2008年，注冊資本3410萬元，專注半導體器件技術創新，擁有多項功率半導體核心專利，核心產品為中低高壓功率器件。
東微半導體擁有世界一流的技術研發團隊，其原創半浮柵技術曾發表于國際頂級雜志《Science》。東微半導體致力于自主知識產權的半導體器件技術的研發和產業化，是“長三角集成電路設計與制造協同創新中心”的核心成員單位。公司已有40多項發明專利，包括3個美國專利，有多項自主知識產權的國際原創核心器件技術。
GreenMOS技術的優點：
1. 高軟度深槽超級結技術：專利技術解決深槽超級結的EMI問題，在EMI得到解決的同時不損失效率；
2. 漏電流(Idss)更小，耐壓(BV)一致性更高；
3. 柵電荷(Qg)更小，柵極驅動電路要求低。意味著驅動IC中的功率管面積可以大幅縮小，驅動芯片面積可大幅縮小，成本競爭力增強, Cgd電容小，開關速度快，開關損耗小，可用于高端350kHz電源系統。
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